晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中最高
同時，電力電子要順利完成控制功能，需信息電路提供各種信息，如傳感器采樣，保護信號等，信息電路發出控制命令，完成各項邏輯
門碰
電力MOSFET：開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置
1、按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類：半控型器件，例如晶閘管；全控型器件，例如GTO（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），PowerMOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）；不可控器件，例如電力二極管
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展開全部電力電子器件主要是大功率器件，信息電子器件主要是小功率器件2、未來幾年中，盡管以硅為半導體材料的雙極功率器件和場控功率器件已趨于成熟，但是各種新結構和新工藝的引入，仍可使其性能得到進一步提高和改善，Coolmos、各種改進型IGBT和IGCT均有相當的生命力和競爭力展開全部電力電子器件（PowerElectronicDevice）又稱為功率半導體器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件（通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上）
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